TK12Q60W,S1VQ
TK12Q60W,S1VQ
型號:
TK12Q60W,S1VQ
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
14531 Pieces
數據表:
TK12Q60W,S1VQ.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.7V @ 600µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-Pak
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:340 mOhm @ 5.8A, 10V
功率耗散(最大):100W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Stub Leads, IPak
其他名稱:TK12Q60WS1VQ
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:TK12Q60W,S1VQ
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:890pF @ 300V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:25nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:Super Junction
展開說明:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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