購買 TK12Q60W,S1VQ與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3.7V @ 600µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I-Pak |
系列: | DTMOSIV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 340 mOhm @ 5.8A, 10V |
功率耗散(最大): | 100W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
其他名稱: | TK12Q60WS1VQ |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | TK12Q60W,S1VQ |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 890pF @ 300V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | Super Junction |
展開說明: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 11.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |