購買 IRFD010PBF與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
功率耗散(最大): | 1W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
其他名稱: | *IRFD010PBF |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 11 Weeks |
製造商零件編號: | IRFD010PBF |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 250pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 13nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 50V |
描述: | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.7A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |