TPN1R603PL,L1Q
型號:
TPN1R603PL,L1Q
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17497 Pieces
數據表:
TPN1R603PL,L1Q.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:10V @ 10µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-TSON Advance (3.3x3.3)
系列:U-MOSIX-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:1.2 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散(最大):104W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPN1R603PL,L1Q(M
TPN1R603PLL1Q
TPN1R603PLL1QTR
工作溫度:175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:TPN1R603PL,L1Q
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:3900pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:41nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
電流 - 25°C連續排水(Id):80A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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