購買 TPH3206LDB與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.6V @ 500µA |
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Vgs(最大): | ±18V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝: | PQFN (8x8) |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
功率耗散(最大): | 81W (Tc) |
封裝/箱體: | 4-PowerDFN |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | TPH3206LDB |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 760pF @ 480V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
描述: | GAN FET 650V 16A PQFN88 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 16A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |