購買 SIZ914DT-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.4V @ 250µA |
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供應商設備封裝: | 8-PowerPair® |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6.4 mOhm @ 19A, 10V |
功率 - 最大: | 22.7W, 100W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-WDFN Exposed Pad |
其他名稱: | SIZ914DT-T1-GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SIZ914DT-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1208pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 26nC @ 10V |
FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 16A, 40A |
Email: | sales@bychips.com |