SIZ914DT-T1-GE3
SIZ914DT-T1-GE3
型號:
SIZ914DT-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15894 Pieces
數據表:
1.SIZ914DT-T1-GE3.pdf2.SIZ914DT-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.4V @ 250µA
供應商設備封裝:8-PowerPair®
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:6.4 mOhm @ 19A, 10V
功率 - 最大:22.7W, 100W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-WDFN Exposed Pad
其他名稱:SIZ914DT-T1-GE3TR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SIZ914DT-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1208pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:26nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair®
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
電流 - 25°C連續排水(Id):16A, 40A
Email:sales@bychips.com

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