購買 SISS27DN-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
功率耗散(最大): | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerVDFN |
其他名稱: | SISS27DN-T1-GE3TR |
工作溫度: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SISS27DN-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 5250pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 140nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 30V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |