購買 SIS612EDNT-T1-GE3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.2V @ 1mA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® 1212-8 |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | PowerPAK® 1212-8 |
其他名稱: | Q8619879 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SIS612EDNT-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2060pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 70nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 20V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET N-CH 20V 50A SMT |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |