購買 SIHJ10N60E-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PowerPAK® SO-8 |
系列: | E |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 360 mOhm @ 5A, 10V |
功率耗散(最大): | 89W (Tc) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | PowerPAK® SO-8 |
其他名稱: | SIHJ10N60E-T1-GE3CT SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 14 Weeks |
製造商零件編號: | SIHJ10N60E-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 784pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 50nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 600V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N-CH 600V 10A SO8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 10A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |