SIHJ10N60E-T1-GE3
型號:
SIHJ10N60E-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A SO8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13112 Pieces
數據表:
SIHJ10N60E-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4.5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8
系列:E
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:360 mOhm @ 5A, 10V
功率耗散(最大):89W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8
其他名稱:SIHJ10N60E-T1-GE3CT
SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:14 Weeks
製造商零件編號:SIHJ10N60E-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:784pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:50nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 600V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N-CH 600V 10A SO8
電流 - 25°C連續排水(Id):10A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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