SIHH21N60E-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PowerPAK® 8 x 8
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	176 mOhm @ 11A, 10V
功率耗散（最大）:	104W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	SIHH21N60E-T1-GE3TR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	19 Weeks
製造商零件編號:	SIHH21N60E-T1-GE3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2015pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	83nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 600V 20A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	600V
描述:	MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
電流 - 25°C連續排水（Id）:	20A (Tc)
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
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