購買 SIHB22N60S-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-263 (D²Pak) |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 190 mOhm @ 11A, 10V |
功率耗散(最大): | 250W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名稱: | SIHB22N60S-E3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SIHB22N60S-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2810pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 110nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 22A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |