SIHB15N50E-GE3
SIHB15N50E-GE3
型號:
SIHB15N50E-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12349 Pieces
數據表:
SIHB15N50E-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:D²PAK (TO-263)
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:280 mOhm @ 7.5A, 10V
功率耗散(最大):156W (Tc)
封装:Bulk
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:19 Weeks
製造商零件編號:SIHB15N50E-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1162pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:66nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 500V 14.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):500V
描述:MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
電流 - 25°C連續排水(Id):14.5A (Tc)
Email:[email protected]

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