SI7115DN-T1-GE3
SI7115DN-T1-GE3
型號:
SI7115DN-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15880 Pieces
數據表:
SI7115DN-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® 1212-8
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:295 mOhm @ 4A, 10V
功率耗散(最大):3.7W (Ta), 52W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® 1212-8
其他名稱:SI7115DN-T1-GE3TR
SI7115DNT1GE3
工作溫度:-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:15 Weeks
製造商零件編號:SI7115DN-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1190pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:42nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 150V 8.9A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):6V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):150V
描述:MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
電流 - 25°C連續排水(Id):8.9A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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