SI1012X-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	900mV @ 250µA
Vgs（最大）:	±6V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	SC-89-3
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	700 mOhm @ 600mA, 4.5V
功率耗散（最大）:	250mW (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SC-89, SOT-490
其他名稱:	SI1012X-T1-GE3-ND SI1012X-T1-GE3TR SI1012XT1GE3
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	SI1012X-T1-GE3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.75nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	1.8V, 4.5V
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	500mA (Ta)
Email:	[email protected]