購買 PDTB113EK,115與BYCHPS
購買即有保證
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
晶體管類型: | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | SMT3; MPAK |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 1k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 1k |
功率 - 最大: | 250mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | 934058968115 PDTB113EK T/R PDTB113EK T/R-ND |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | PDTB113EK,115 |
頻率 - 轉換: | - |
展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK |
描述: | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 33 @ 50mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 500mA |
Email: | [email protected] |