NTMD6601NR2G
型號:
NTMD6601NR2G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17083 Pieces
數據表:
NTMD6601NR2G.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 NTMD6601NR2G的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的NTMD6601NR2G購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 NTMD6601NR2G與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
供應商設備封裝:8-SOIC
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:215 mOhm @ 2.2A, 10V
功率 - 最大:600mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:NTMD6601NR2G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:400pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:15nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
漏極至源極電壓(Vdss):80V
描述:MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
電流 - 25°C連續排水(Id):1.1A
Email:sales@bychips.com

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求
Loading...