IPB65R190CFDAATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4.5V @ 700µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO263
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	190 mOhm @ 7.3A, 10V
功率耗散（最大）:	151W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:	SP000928264
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	16 Weeks
製造商零件編號:	IPB65R190CFDAATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1850pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	68nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263
漏極至源極電壓（Vdss）:	650V
描述:	MOSFET N-CH TO263-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	17.5A (Tc)
Email:	[email protected]