購買 DRC5614T0L與BYCHPS
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 20V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | SMini3-F2-B |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | - |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 10k |
功率 - 最大: | 150mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-85 |
其他名稱: | DRC5614T0L-ND DRC5614T0LTR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | DRC5614T0L |
頻率 - 轉換: | - |
展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B |
描述: | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 1µA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 600mA |
Email: | [email protected] |